工业SiC MOSFET模块

芯聚能半导体的SiC MOSFET采用先进的平面栅工艺,通过优化结构设计实现更低损耗和更高可靠性。碳化硅(SiC)芯片作为开关器件,可支持更高的开关频率和工作结温,同时实现更高的系统效率,广泛应用于工业特种电源和高速电机应用。
工业碳化硅(SiC)模块产品针对不同应用开发了系列的内部电路拓扑,如单芯片(1-in-1),半桥(Half-Bridge),双相桥(4-in-1),三相桥(6-in-1)等,可提供多个电压等级(650V,1200V,1700V)的选项。工业SiC MOSFET模块封装采用了先进的银烧结(Ag-Sintering)工艺,且提供特殊式样选项,譬如高性能氮化铝(AlN)陶瓷基板材料(可大幅提升散热性能),充分满足工业应用对高功率密度、高可靠性的需求。
业SiC MOSFET单管

芯聚能半导体的SiC MOSFET采用先进的平面栅工艺,通过优化结构设计实现更低损耗和更高可靠性。碳化硅(SiC)芯片作为开关器件,可支持更高的开关频率和工作结温,同时实现更高的系统效率,在工业领域广泛应用于,如车载充电器(OBC),不间断电源(UPS),光伏逆变,储能系统和电动车快速充电等行业。
我们的工业SiC MOSFET单管产品提供650V、1200V等多个电压等级和8mΩ~160mΩ导通电阻的参数组合。同时针对碳化硅(SiC)器件的高速开关特性,设计了相应对策的封装形式,譬如在通用标准封装基础上增加开尔文源极引脚的TO-系列和SMD系列封装,在对现有设计改动最小的前提下大幅提升了器件的开关性能。


产品

Product

描述

Description

状态

Status

BVDSS (V)

ID(Max) (A)

RDS(ON)   

Typ@25℃(mΩ)

TjMax(℃)

封装

Package

ACN016S120RNA

16mΩ,1200V

SiC-MOSFET模块

单芯片1-in-1拓扑

量产

1200

90

16

150

SOT-227

ACN040S120TNA?

48mΩ,1200V

SiC-MOSFET单管

TO-247

量产

1200

51

48

150

TO-247

ACN080S120TNA?

80mΩ,1200V

SiC-MOSFET单管

TO-247

量产

1200

30

80

150

TO-247