硅 (Si) 器件
芯聚能提供完善的IGBT系列,产品均采用高速沟槽栅/场终止工艺,单管及模块IGBT电流密度高且功耗低,能够提高能效、降低散热需求,从而有效降低整体系统成本。该系列芯片包括单片IGBT,以及和FRD集成封装的产品,广泛应用于通用逆变器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、感应加热设备、大型家电、焊接以及开关电源(SMPS)等领域。



类别

category

产品

Product

描述

Description


状态

Status


BVCES Typ(V)

IC Max(A)

VCE(sat) Typ(V)

VF Typ(V)

Eoff Typ(mJ)

Eon

Typ(mJ)

Trr

Typ(ns)

Irr   

Typ(A)

Qg   

Typ(nC)

封装 Package

IGBT

模块

AST100BH12E1NA

100A, 1200V

场截止沟槽型高速IGBT

半桥拓扑,全电流FRD

量产

1200

100

1.89

2.38

6.87

6.39

352

29

620

34mm

AST100BH12E1NB

100A, 1200V

场截止沟槽型中速IGBT

半桥拓扑,全电流FRD

量产

1200

100

1.84

2.08

10.53

5.86

350

57

915

34mm

IGBT

单管

AST015C060WNA

15A, 600V

场截止沟槽型IGBT

量产

600

15

1.6

1.4

0.18

0.29

150

15.5

32.9

TO-220F

AST020C060WNA

20A, 600V

场截止沟槽型IGBT

量产

600

20

1.55

1.53

0.3

0.79

254

2.7

43

TO-220F

AST030C060PNA

30A, 600V

场截止沟槽型IGBT

量产

600

30

1.71

1.56

0.3

0.79

254

43

TO-3P

AST036I038WNB

36A, 380V

场截止沟槽型IGBT

量产

380

36

2.0

TO-220C

AST036I038BNA

36A, 380V

场截止沟槽型IGBT

量产

380

36

2.0


TO-263





类别

category

产品

Product

描述

Description


状态

Status


配置

Configuration

VRRM

Min(V)

VF

Max(V)

IRM

Max(μA)

IO

Max(A)

IFSM

Max(A)

trr   

Max(ns)

Cj

Max(pF)

封装

Package

二极管

ASF060B030PFC

60A,300V

肖特基二极管

量产

双芯共阴极

300

1.1

5

60

300

45

600


TO-3PN