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AST100BH12E1NB 34mm IGBT 半桥功率??椴捎酶咚俟挡壅?场终止工艺, 具有低导通和低开关损耗以及10μs短路能力,杂散电感低,采用DBC技术的隔离铜陶瓷基板,散热性能优异。 主要应用于电焊机、感应加热、UPS 和 SMPS。
描述 100A 1200V 场截止沟槽型中速IGBT 半桥拓扑 全电流FRD
封装 34mm
BVCES Typ 1200V
IC Max Tc=100℃ 100A
VCE(sat) Typ 1.84V
Eoff Typ 10.53mJ
Qg Typ 915nC
产品参数
描述
100A 1200V 场截止沟槽型中速IGBT 半桥拓扑 全电流FRD
封装
34mm
BVCES Typ
1200V
IC Max Tc=100℃
100A
VCE(sat) Typ
1.84V
Eoff Typ
10.53mJ
Qg Typ
915nC
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产品特性产品优势指标参数拓扑电路潜在应用

                                                                                

  • Tvj(op) = -55 ~150℃,短时工作结温可扩展至 175℃

    Tvj(op) = -55 ~150℃, and short-time extended   operation temperature to 175℃

  • 低开关损耗

    Low switching losses

  • VCEsat正温度系数

    VCEsat with positive temperature coefficient

  • 低栅极电荷

    Low gate charge







  • 34mm??椴捎酶咚俟挡壅?场终止IGBT       

    34mm module with Fast Trench/FS IGBT

  • 10μs 短路能力

    10μs short circuit capability

  • 低电感   

    low inductance

  • 采用 DBC 技术的隔离铜基板   

    Isolated copper baseplate using DBC technology     



型号   

AST100BH12E1NB

电路拓扑

半桥

封装类型

34mm

IC

100A

VCE(sat) (@Tj=25℃)

1.84V

VCE Max

1200V

产品等级

工业级


S拓扑.png

  • 电焊机

      Welder

  • 电镀

      Platting

  • 大功率逆变器

      High power inverter       

  • UPS/SMPS