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AST020C060WNA IGBT采用芯聚能高速沟槽/场终止工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于逆变器、伺服器、UPS,SMPS以及PFC等领域。
描述 20A 600V 场截止沟槽型IGBT
封装 TO-220F
BVCES Typ 600V
IC Max Tc=100℃ 20A
VCE(sat) Typ 1.7V
状态 量产
产品参数
描述
20A 600V 场截止沟槽型IGBT
封装
TO-220F
BVCES Typ
600V
IC Max Tc=100℃
20A
VCE(sat) Typ
1.7V
状态
量产
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产品特性产品优势指标参数拓扑电路潜在应用

                                                                                

  • 低开关损耗

    Low switching losses

  • VCEsat正温度系数

    VCEsat with positive temperature coefficient

  • 低栅极电荷

    Low gate charge







  • 用高速沟槽栅/场终止IGBT       

    Trench/FS IGBT   

  • 10μs 短路能力

    10μs short circuit capability

       



型号   

AST020C060WNA

电路拓扑

IGBT+FRD

封装类型

TO-220F

IC

20A

VCE(sat) (@Tj=25℃)

1.55V

VCE Max

600V

产品等级

工业级


S拓扑.png

  • 逆变器   

      Inverters

  • 伺服器

      Servo

  • UPS/SMPS/PFC