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AST036I038BNA

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AST036I038BNA IGBT主要针对脱毛仪开发的，采用芯聚能高速沟槽/场终止工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，集电极重复峰值电流大等特点。
描述 36A 380V 场截止沟槽型IGBT
封装 TO-263
BVCES Typ 380V
IC Max Tc=100℃ 36A
VCE(sat) Typ 2.0V
状态 量产
产品参数
描述
36A 380V 场截止沟槽型IGBT
封装
TO-263
BVCES Typ
380V
IC Max Tc=100℃
36A
VCE(sat) Typ
2.0V
状态
量产
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产品特性产品优势指标参数拓扑电路潜在应用

                                                                                

  • 低开关损耗

    Low switching losses

  • VCEsat正温度系数

    VCEsat with positive temperature coefficient

  • 低栅极电荷

    Low gate charge







  • 用高速沟槽栅/场终止IGBT       

    Trench/FS IGBT   

  • 10μs 短路能力

    10μs short circuit capability

       



型号   

AST036I038BNA

电路拓扑

单芯片

封装类型

TO-263

IC

36A

VCE(sat) (@Tj=25℃)

1.26V

VCE Max

380V

产品等级

工业级


S拓扑.png

  • 脱毛仪   

     Epilator